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    CM400DY-12NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-12NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • CM400DU-12NFIGBT模塊

    CM400DU-12NF北京京誠宏泰科技有限公司銷售三菱IGBT模塊CM400DU-12NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • igbt模塊CM400DY-12H三菱模塊CM400DY-12H

    CM400DY-12H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • igbt模塊CM400DU-5F三菱模塊CM400DU-5F

    CM400DU-5F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM400DU-5F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    CM300DU-12NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300DU-12NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    CM300DU-12H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300DU-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300DY-12G IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;

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  • igbt模塊CM300DY-12E三菱模塊CM300DY-12E

    北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300DY-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;

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