富士IPM模塊7MBP75RA120

日本FUJI富士智能IGBT功率模塊7MBP75RA120

富士7單元IPM功率模塊7MBP75RA120

1200V  75A 大功率IPM模塊7MBP75RA120

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7MBP75RA120內(nèi)置6單元IGBT+剎車(chē)電路

中央變頻空調(diào)常用變頻模塊7MBP75RA120

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IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類(lèi):H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。

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