實(shí)際上
富士IGBT-PIM模塊，二者的關(guān)鍵之處都是功率模塊，IPM可以視為PIM中的特殊類型。從外觀上看，IPM除了引腳多—些以外，與PIM沒(méi)有什么明顯不同，二者的不同在于內(nèi)部的電路構(gòu)成。PIM一般是指包含整流與DB（有源制動(dòng)開(kāi)關(guān)）的6in1模塊，總體上是一個(gè)7in1模塊。對(duì)于
富士IGBT-PIM模塊而言，其基本組成是包含6單元的IGBT三相全橋和相應(yīng)的FWD、DB（1單元IGBT與1個(gè)FWD），6個(gè)用于三相整流的整流二極管；額外的，還可能包括溫度檢測(cè)NTC和保護(hù)電路的取樣電阻。7in1中的7表示模塊中包含7個(gè)IGBT管芯，1表示多個(gè)管芯裝配到了—模塊外殼中。
富士IGBT-PIM模塊的使用
1.防止靜電IGBT是靜電敏感器件，為了防止器件受靜電危害，應(yīng)注意以下兩點(diǎn)：
?、買(mǎi)GBT模塊驅(qū)動(dòng)端子上的黑色海綿是防靜電材料，用戶用接插件引線時(shí)取下防靜電材料立即插上引線;在無(wú)防靜電措施時(shí)，不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。
?、隍?qū)動(dòng)端子需要焊接時(shí)，設(shè)備或電烙鐵一定要接地。
2.選擇和使用
①請(qǐng)?jiān)诋a(chǎn)品的額定值(電壓、電流、溫度等)范圍內(nèi)使用，一旦超出額定值，可能損壞產(chǎn)品，特別是IGBT外加超出VCES的電壓時(shí)可能發(fā)生雪崩擊穿現(xiàn)象從而使元件損壞，請(qǐng)務(wù)必在VCES的額定值范圍內(nèi)使用!工作使用頻率愈高,工作電流愈小;源于可靠性的原因，必須考慮安全系數(shù)。
?、隍?qū)動(dòng)電路：由于IGBTVce(sat)和短路耐量之間的折衷關(guān)系，建議將柵極電壓選為+VGE=14～15V，-VGE=5～10V，要確保在模塊的驅(qū)動(dòng)端子上的驅(qū)動(dòng)電壓和波形達(dá)到驅(qū)動(dòng)要求;柵極電阻Rg與IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷特性密切相關(guān)，減小Rg值開(kāi)關(guān)損耗減少，下降時(shí)間減少，關(guān)斷脈沖電壓增加;反之，柵極電阻Rg值增加時(shí)，會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗，影響開(kāi)關(guān)頻率;應(yīng)根據(jù)浪涌電壓和開(kāi)關(guān)損耗間折衷(與頻率有關(guān))選擇合適的Rg值，一般選為5Ω至100Ω之間。為防止柵極開(kāi)路，建議靠近柵極與發(fā)射極間并聯(lián)10K～20KΩ電阻。驅(qū)動(dòng)布線要盡量短且采用雙絞線;在電源投入時(shí)請(qǐng)先投入驅(qū)動(dòng)控制部分的電源，使其驅(qū)動(dòng)電路工作后再投入主電路電源。
?、郾Ｗo(hù)電路：富士IGBT-PIM模塊使用在高頻時(shí)布線電感容易產(chǎn)生尖峰電壓，必須注意減少布線電感和元件的配置，應(yīng)注意以下保護(hù)項(xiàng)目：過(guò)電流保護(hù)、過(guò)電壓保護(hù)、柵極過(guò)壓及欠壓保護(hù)、安全工作區(qū)、過(guò)溫保護(hù)。
?、芪针娐罚河捎贗GBT開(kāi)關(guān)速度快，容易產(chǎn)生浪涌電壓，必須設(shè)有浪涌鉗位電路。
⑤并聯(lián)使用：應(yīng)考慮柵極電路、線路布線、電流不平衡和器件之間的溫度不平衡等問(wèn)題，選用正溫度系數(shù)，飽和壓降在同一個(gè)等級(jí)(同一批次)。
?、奘褂脮r(shí)請(qǐng)避開(kāi)產(chǎn)生腐蝕氣體和嚴(yán)重塵埃的場(chǎng)所。
服務(wù)熱線：010-64824799
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更新時(shí)間：2019-01-17 
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